| 第02页：Core i7 980X架构技术解析：32nm制程 |
32nm制造工艺技术，是目前主流的45nm制造工艺技术的升级。它是指的半导体晶片的制造工艺技术。半导体的制程技术在不断发展革新，同时也让处理器芯片的体积更小，性能越发强大。“Tick-tock” 战略这一独特的发展模式在每一年都会为我们带来的最新的处理器产品。
Intel推出了采用第二代高k+金属栅极晶体管的32nm制程技术，该制程技术以大获成功的45nm制程技术为基础。采用高k+金属栅极的45nm制程技术取得巨大成功之后，Intel再接再厉推出了采用第二代高k+金属栅极的32nm制程技术，目前已经量产。这种新制程技术将用来制造Intel Nehalem微体系架构的32nm版本——Westmere。基于Westmere的产品将应用于以下细分市场：移动设备、笔记本电脑、台式机和服务器。Intel是业界首家演示了可正常运行的32nm处理器的公司，目前正在有条不紊地实现其称为“Tick-Tock模式”的新产品创新节奏，即每隔一年交替推出新一代的先进制程技术和处理器微体系架构。
Core i7 980X采用32nm制程技术
要了解32nm制程技术的重要性，我们需要先了解2007年推出的45nm制程技术。Intel内部将45nm制程称为P1266。正是依靠这种制程，Intel推出了高性能的Intel Nehalem微体系架构并且取得了巨大成功。 P1266是首次采用高k+金属栅极晶体管的制程，这一技术性的突破既能提高晶体管的性能，又能减少电流的泄露。在推出P1266制程技术时，Intel就承诺快速将45nm技术投入实际的量产阶段。Intel兑现了其诺言，它是第一家把高k +金属栅极晶体管的45nm制程投入量产的公司。
32nm制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。Intel对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。 在45nm制程中，高k电介质的等效氧化层厚度为1.0nm。而在32nm制程中，此氧化层的厚度仅为0.9nm，而栅极长度则缩短为30nm。
晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32nm制程采用了业内最紧凑的栅极间距。32nm制程采用了与Intel45nm制程一样的置换金属栅极工艺流程，这样有利于Intel充分利用现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路（IC）尺寸、提高晶体管的性能至关重要。采用高k+金属栅极晶体管的32nm制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。
由于氧化层厚度减小，栅极长度缩短，晶体管的性能提高了22%以上。这些晶体管的驱动电流和栅极长度创造了业内最佳纪录。此外，漏电电流也得到了优化。与45nm制程相比，NMOS晶体管的漏电量减少5倍多，PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。由于上述改进，电路的尺寸和性能均可得到显著优化。除此之外，32nm还采用了第四代应变硅技术，用于提高晶体管的性能——这样一来，Intel便可争取更多的时间和机会进行更多技术创新。
Intel在09年就发布了Clarkdale，采用32nm制程的台式机处理器
网友评论：（请各位网友遵纪守法并注意语言文明，留言仅供参考不代表本站立场） TOP↑
